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STGWA15S120DF3 /IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop
STGWA15S120DF3的规格信息
STGWA15S120DF3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:1.55 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:30 A

Pd-功率耗散:259 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGWA15S120DF3

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:15 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:600

子类别:IGBTs

单位重量:5.420 g

供应商STGWA15S120DF3
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Digi-Key 得捷电子		STGWA15S120DF3STMicroelectronicsIGBT 1200V 15A TO247-3L$4.21000
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Mouser 贸泽电子		STGWA15S120DF3STMicroelectronicsIGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop1:¥52.9405
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25:¥45.6407
100:¥39.6517
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