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STGWA25H120DF2 /IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
STGWA25H120DF2的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

技术:Si

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.5 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:50 A

Pd-功率耗散:375 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGWA25H120DF2

商标:STMicroelectronics

集电极连续电流:25 A

栅极—射极漏泄电流:250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:600

子类别:IGBTs

单位重量:6.100 g

供应商STGWA25H120DF2
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Digi-Key 得捷电子		STGWA25H120DF2STMicroelectronicsIGBT HB 1200V 25A HS TO247-3$5.97000
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Mouser 贸泽电子		STGWA25H120DF2STMicroelectronicsIGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed1:¥58.8617
10:¥53.1778
25:¥50.7144
100:¥44.0248
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