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STGWA25M120DF3 /STMicroelectronics/分立半导体产品
STGWA25M120DF3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:M-Series IGBTs

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:管件

IGBT 类型:沟道和场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,25A

功率 - 最大值:375W

开关能量:850µJ(开),1.3mJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:85nC

25°C 时 Td(开/关)值:28ns/150ns

测试条件:600V,25A,15欧姆,15V

反向恢复时间(trr):265ns

封装/外壳:TO-247-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247 长引线

其它名称:497-15136-5

供应商STGWA25M120DF3
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STGWA25M120DF3IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low lossSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO472.11 Kbytes共16页STGWA25M120DF3的PDF下载地址
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STGWA25M120DF3STMicroelectronicsIGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss1:¥73.0771
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250+:¥43.07
500+:¥43.07
1000+:¥39.54
2500+:¥39.54
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