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STGWA40H65DFB /IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
STGWA40H65DFB的规格信息
STGWA40H65DFB的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.6 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

Pd-功率耗散:283 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGWA40H65DFB

集电极最大连续电流 Ic:80 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:+/- 250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:600

子类别:IGBTs

单位重量:6 g

供应商STGWA40H65DFB
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现代芯城（深圳）科技有限公司STGWA40H65DFBwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司STGWA40H65DFB深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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