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STGW80H65DFB-4 /
STGW80H65DFB-4的规格信息
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IGBT 类型沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)650V

电流 - 集电极(Ic)(最大值)120A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)240A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)2V @ 15V,80A

功率 - 最大值469W

开关能量2.1mJ(开),1.5mJ(关)

输入类型标准

栅极电荷414nC

25°C 时 Td(开/关)值84ns/280ns

测试条件400V,80A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr)85ns

工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型通孔

封装/外壳TO-247-4

供应商器件封装TO-247-4L

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商STGW80H65DFB-4
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深圳市芯幂科技有限公司STGW80H65DFB-4深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
上海三崧电子有限公司STGW80H65DFB-4上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市斌腾达科技有限公司STGW80H65DFB-4深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司STGW80H65DFB-4深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市高捷半导体有限公司STGW80H65DFB-4深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市捷芯微科技有限公司STGW80H65DFB-4深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B36309192
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STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsIGBT BIPO 650V 80A TO247$4.72500
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25:¥82.4448
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