STGW60H65DFB-4的供应商，STGW60H65DFB-4规格参数，STGW60H65DFB-4的PDF资料

STGW60H65DFB-4 /IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

STGW60H65DFB-4的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-4

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.6 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

Pd-功率耗散:283 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGW60H65DFB-4

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:250 uA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:600

子类别:IGBTs

STGW60H65DFB-4

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深圳市芯幂科技有限公司	STGW60H65DFB-4	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
STGW60H65DFB-4	IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed	STMicroelectronics		886.89 Kbytes	共15页		无
STGW60H65DFB-4	IGBT	STMicroelectronics		551.65 Kbytes	共15页		无

STGW60H65DFB-4的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	STGW60H65DFB-4	STMicroelectronics	IGBT	$3.69517
Mouser 贸泽电子	STGW60H65DFB-4	STMicroelectronics	IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed	1:¥64.0032 10:¥57.856 25:¥55.1666 100:¥47.8668

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