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STGW60H60DLFB /IGBT 晶体管 600V 60A trench gate field-stop IGBT
STGW60H60DLFB的规格信息
STGW60H60DLFB的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.6 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

Pd-功率耗散:375 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGW60H60DLFB

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:60 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:600

子类别:IGBTs

单位重量:38 g

供应商STGW60H60DLFB
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Mouser 贸泽电子		STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:￥38.48
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