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STGW60H60DLFB /IGBT 晶体管 600V 60A trench gate field-stop IGBT
STGW60H60DLFB的规格信息
STGW60H60DLFB的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.6 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

Pd-功率耗散:375 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGW60H60DLFB

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:60 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:600

子类别:IGBTs

单位重量:38 g

供应商STGW60H60DLFB
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上海三崧电子有限公司STGW60H60DLFB上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市华兴微电子有限公司STGW60H60DLFB华强广场A座14B13202105858
13202105858		蔡升航Email:745217619@qq.com询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司STGW60H60DLFB华强广场C座18J0755-27381274
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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STGW60H60DLFB的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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10+:￥30.91
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Digi-Key 得捷电子		STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT 600V 80A 375W TO-247$4.32000
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