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STGW40V60DF /STMicroelectronics/分立半导体产品
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特色产品:"Tail-Less" 600 V IGBT V Series

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:管件

IGBT 类型:沟道和场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,40A

功率 - 最大值:283W

开关能量:456µJ(开),411µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:226nC

25°C 时 Td(开/关)值:52ns/208ns

测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):41ns

封装/外壳:TO-247-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247

其它名称:497-13766-5

供应商STGW40V60DF
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芯莱德电子(香港)有限公司STGW40V60DF深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STGW40V60DF深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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木易Email:2881915365@qq.com询价
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STGW40V60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT1+:¥34.04
10+:¥27.42
100+:¥24.95
250+:¥22.48
500+:¥20.2201
1000+:¥17.02
2000+:¥16.15
5000+:¥15.55991+:¥27.17
10+:¥21.87
100+:¥19.8801
250+:¥17.97
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10000+:¥15.741+:¥20.51
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50+:¥17.27
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STGW40V60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 80A 283W TO247$3.52000
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100+:¥24.95
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1000+:¥17.02
2000+:¥16.15
5000+:¥15.5599
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STGW40V60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT1+:¥34.04
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500+:¥20.2201
1000+:¥17.02
2000+:¥16.15
5000+:¥15.55991+:¥27.17
10+:¥21.87
100+:¥19.8801
250+:¥17.97
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1000+:¥17.16
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10000+:¥15.741+:¥20.51
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Mouser 贸泽电子
STGW40V60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT1+:¥34.04
10+:¥27.42
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1000+:¥17.02
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5000+:¥15.55991+:¥27.17
10+:¥21.87
100+:¥19.8801
250+:¥17.97
500+:¥17.97
1000+:¥17.16
2000+:¥16.5
5000+:¥16.11
10000+:¥15.74
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STGW40V60DFSTMicroelectronicsIGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT1:¥33.9678
10:¥28.8941
100:¥25.0521
250:¥23.7413
500:¥21.2892
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STGW40V60DFST(意法半导体)IGBT管1+:¥28.46
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