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STGB7H60DF /
STGB7H60DF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

IGBT 类型:沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):14A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):28A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):1.95V @ 15V,7A

功率 - 最大值:88W

开关能量:99µJ(开),100µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:46nC

25°C 时 Td(开/关)值:30ns/160ns

测试条件:400V,7A,47 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):136ns

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装:TO-263(D2Pak)

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商STGB7H60DF
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STGB7H60DFIGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speedSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO952.60 Kbytes共25页STGB7H60DF的PDF下载地址
STGB7H60DFIGBT 600V 14A 88W D2PAKSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO979.33 Kbytes共25页STGB7H60DF的PDF下载地址
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STGB7H60DFSTMicroelectronicsIGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359