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STGB30V60F /IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
STGB30V60F的规格信息
STGB30V60F的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:D2PAK-3

安装风格:SMD/SMT

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.85 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:60 A

Pd-功率耗散:260 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGB30V60F

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极最大连续电流 Ic:60 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:+/- 250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:IGBTs

供应商STGB30V60F
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