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STGB6NC60HDT4 /STMicroelectronics/分立半导体产品
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特色产品:"Tail-Less" 600 V IGBT V Series

标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:PowerMESH??

包装:带卷(TR)

IGBT 类型:-

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,3A

功率 - 最大值:56W

开关能量:20µJ(开),68µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:13.6nC

25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns

测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):21ns

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D2PAK

其它名称:497-5110-2

供应商STGB6NC60HDT4
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13652405995
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深圳市芯幂科技有限公司STGB6NC60HDT4深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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集好芯城STGB6NC60HDT4深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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STGB6NC60HDT4栅极阈值电压-VGE(th):5.75V @ 250uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,3A 集电极电流(Ic)(最大值):15A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:-ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO916.11 Kbytes共24页STGB6NC60HDT4的PDF下载地址
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STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT1000+:¥4.04
2000+:¥3.57
10000+:¥3.44
25000+:¥3.361+:¥7.48
10+:¥5.8
100+:¥4.61
500+:¥4.21
1000+:¥3.98
2000+:¥3.66
10000+:¥3.56
25000+:¥3.45
50000+:¥3.381+:¥4.04
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STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsIGBT 600V 15A 56W D2PAK$1.29000
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STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT1000+:¥4.04
2000+:¥3.57
10000+:¥3.44
25000+:¥3.36
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STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsIGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4127
1,000:¥4.2601
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STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT1000+:¥4.04
2000+:¥3.57
10000+:¥3.44
25000+:¥3.361+:¥7.48
10+:¥5.8
100+:¥4.61
500+:¥4.21
1000+:¥3.98
2000+:¥3.66
10000+:¥3.56
25000+:¥3.45
50000+:¥3.38
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STGB6NC60HDT4ST(意法半导体)栅极阈值电压-VGE(th):5.75V @ 250uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,3A 集电极电流(Ic)(最大值):15A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:-1+:¥3.98
10+:¥3
30+:¥2.82
100+:¥2.64
500+:¥2.56
1000+:¥2.52