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STGB40V60F /STMicroelectronics/分立半导体产品
STGB40V60F的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

IGBT 类型:沟道和场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,40A

功率 - 最大值:283W

开关能量:456µJ(开),411µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:226nC

25°C 时 Td(开/关)值:52ns/208ns

测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):-

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D2PAK

其它名称:497-14978-2

供应商STGB40V60F
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STGB40V60FSTMicroelectronics1000+:¥15.27
2000+:¥14.47
5000+:¥14.091+:¥24.35
10+:¥19.55
100+:¥17.3899
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500+:¥16.15
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STGB40V60FSTMicroelectronicsIGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed1:¥31.5044
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