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STGB30M65DF2 /
STGB30M65DF2的规格信息
STGB30M65DF2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

IGBT类型:沟槽型场截止

电压-集射极击穿(最大值):650V

电流-集电极(Ic)(最大值):60A

脉冲电流-集电极(Icm):120A

不同 Vge,Ic时的 Vce(on):2V @ 15V,30A

功率-最大值:258W

开关能量:300µJ(开),960µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:80nC

25°C时Td(开/关)值:31.6ns/115ns

测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):140ns

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:D2PAK

无铅情况/RoHs:

供应商STGB30M65DF2
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深圳市坤融电子有限公司STGB30M65DF2航都大厦10I0755-23990975
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深圳市捷芯微科技有限公司STGB30M65DF2深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B36309192
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深圳市高捷半导体有限公司STGB30M65DF2深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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芯莱德电子(香港)有限公司STGB30M65DF2深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市荣创芯微科技有限公司STGB30M65DF2深圳市福田区华强北都会B做12N0755-82501483
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深圳市辉华拓展电子有限公司STGB30M65DF2深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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