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STGB30M65DF2 /
STGB30M65DF2的规格信息
STGB30M65DF2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

IGBT类型:沟槽型场截止

电压-集射极击穿(最大值):650V

电流-集电极(Ic)(最大值):60A

脉冲电流-集电极(Icm):120A

不同 Vge,Ic时的 Vce(on):2V @ 15V,30A

功率-最大值:258W

开关能量:300µJ(开),960µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:80nC

25°C时Td(开/关)值:31.6ns/115ns

测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):140ns

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:D2PAK

无铅情况/RoHs:

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STGB30M65DF2IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low lossSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO687.47 Kbytes共18页STGB30M65DF2的PDF下载地址
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STGB30M65DF2STMicroelectronicsIGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
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