IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极（Ic）（最大值）：30A

脉冲电流-集电极(Icm)：60A

不同 Vge，Ic时的 Vce（on）：2V @ 15V，15A

功率-最大值：115W

开关能量：136µJ（开），207µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：81nC

25°C时Td（开/关）值：24.5ns/118ns

测试条件：400V，15A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：103ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：D2PAK

栅极/发射极最大电压：± 20 V

栅极—射极漏泄电流：250 nA

系列：STGB15H60DF

配置：Single

集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V

集电极—射极饱和电压：1.6 V

功率耗散：115 W

在25 C的连续集电极电流：30 A

安装风格：SMD/SMT

最大工作温度：+ 175 C

最小工作温度：- 55 C

无铅情况/RoHs：否