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STGB19NC60KDT4 /STMicroelectronics/分立半导体产品
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特色产品:"Tail-Less" 600 V IGBT V Series

标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:PowerMESH??

包装:带卷(TR)

IGBT 类型:-

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):35A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.75V @ 15V,12A

功率 - 最大值:125W

开关能量:165µJ(开),255µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:55nC

25°C 时 Td(开/关)值:30ns/105ns

测试条件:480V,12A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):31ns

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D2PAK

其它名称:497-7007-2

供应商STGB19NC60KDT4
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现代芯城(深圳)科技有限公司STGB19NC60KDT4www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
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STGB19NC60KDT4栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 250uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.75V @ 15V,12A 集电极电流(Ic)(最大值):35A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:-ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO1.30 Mbytes共26页STGB19NC60KDT4的PDF下载地址
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Digi-Key 得捷电子
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10+:¥30.11
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Mouser 贸泽电子
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsIGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT1:¥37.4256
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立创商城
STGB19NC60KDT4ST(意法半导体)栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 250uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.75V @ 15V,12A 集电极电流(Ic)(最大值):35A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:-1+:¥8.51
10+:¥6.43
30+:¥6.05
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1000+:¥4.328