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STGB18N40LZT4 /STMicroelectronics/分立半导体产品
STGB18N40LZT4的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

其它有关文件：STGB18N40LZ View All Specifications

特色产品："Tail-Less" 600 V IGBT V Series

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：IGBT - 单路

系列：PowerMESH??

包装：带卷（TR）

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：420V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：30A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：40A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：1.7V @ 4.5V，10A

功率 - 最大值：150W

开关能量：-

输入类型：逻辑

栅极电荷：29nc

25°C 时 Td（开/关）值：650ns/13.5µs

测试条件：300V，10A，5V

反向恢复时间（trr）：-

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

其它名称：497-7006-2

供应商STGB18N40LZT4
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深圳市威雅利发展有限公司STGB18N40LZT4华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STGB18N40LZT4深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
上海三崧电子有限公司STGB18N40LZT4上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市泓建半导体有限公司STGB18N40LZT4深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B1218617195508
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深圳市天卓伟业电子有限公司STGB18N40LZT4深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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芯莱德电子（香港）有限公司STGB18N40LZT4深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司STGB18N40LZT4深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市全秀电子有限公司STGB18N40LZT4东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司STGB18N40LZT4深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司STGB18N40LZT4深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市赛美科科技有限公司STGB18N40LZT4广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市水星电子有限公司STGB18N40LZT4地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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STGB18N40LZT4IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 VSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO561.10 Kbytes共16页STGB18N40LZT4的PDF下载地址无
STGB18N40LZT4IGBT 420V 30A 150W D2PAKSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO571.26 Kbytes共16页STGB18N40LZT4的PDF下载地址无
STGB18N40LZT4栅极阈值电压-VGE(th)：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：1.7V @ 4.5V,10A 集电极电流（Ic）（最大值）：30A 集射极击穿电压（最大值）：420V 类型：-ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO887.10 Kbytes共25页STGB18N40LZT4的PDF下载地址无
STGB18N40LZT4的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		STGB18N40LZT4STMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V1000+:￥6.22
2000+:￥5.79
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10000+:￥5.36991+:￥10.6
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STGB18N40LZT4STMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V1000+:￥6.22
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		STGB18N40LZT4STMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V1000+:￥6.22
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		STGB18N40LZT4STMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V1000+:￥6.22
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		STGB18N40LZT4STMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V1000+:￥6.22
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Mouser 贸泽电子		STGB18N40LZT4STMicroelectronicsIGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥9.0626
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1,000:¥6.5766
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立创商城		STGB18N40LZT4ST(意法半导体)栅极阈值电压-VGE(th)：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：1.7V @ 4.5V,10A 集电极电流（Ic）（最大值）：30A 集射极击穿电压（最大值）：420V 类型：-1+:￥3.528
10+:￥3.432
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