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STGB10NC60KDT4 /STMicroelectronics/分立半导体产品
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其它有关文件：STGB10NC60KD View All Specifications

特色产品："Tail-Less" 600 V IGBT V Series

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：IGBT - 单路

系列：PowerMESH??

包装：带卷（TR）

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：20A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：30A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2.5V @ 15V，5A

功率 - 最大值：65W

开关能量：55µJ（开），85µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：19nC

25°C 时 Td（开/关）值：17ns/72ns

测试条件：390V，5A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：22ns

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

其它名称：497-5736-2

供应商STGB10NC60KDT4
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STGB10NC60KDT4的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 N-channel MOSFET1000+:￥4.25
3000+:￥3.78
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsIGBT 600V 20A 65W D2PAK$1.44000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 N-channel MOSFET1000+:￥4.25
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsIGBT 晶体管 N-channel MOSFET1:¥9.831
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsIGBT - 单路 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 N-channel MOSFET1000+:￥4.25
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