包装管件
系列MDmesh™ K5
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)445 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)22nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)620pF @ 100V
FET 功能-
功率耗散(最大值)30W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220FP
封装/外壳TO-220-3 整包