FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）525V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）12nC @ 10V

Vgs（最大值）±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）340pF @ 100V

功率耗散（最大值）20W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）2.6 欧姆 @ 2.2A，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装I2PAKFP（TO-281）

封装/外壳TO-262-3 整包，I²Pak

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs