RoHS：符合 RoHS

最高工作温度：+ 150 C

34.7 W：Pd - 功率消耗

安装风格：Through Hole

封装/外壳：I2PAKFP-3

系列：STFI34N65M5

品牌：STMicroelectronics

通道模式：Enhancement

下降时间：7.5 ns

最低工作温度：- 55 C

晶体管极性：N-Channel

上升时间：8.7 ns

标准包装数量：50

公司名称：MDmesh

Vds - 漏-源击穿电压：650 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：25 V

Id - C连续漏极电流：28 A

Rds On - 漏-源电阻：90 m0hms

配置：Single

Vgs th - 门源门限电压：4 V

62.5 nC：Qg - 闸极充电

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：28A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：62.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2700pF @ 100V

功率耗散（最大值）：35W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 14A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：I2PAKFP（TO-281）

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs