驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：16.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：450pF @ 100V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：25W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：950 毫欧 @ 3A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-262-3 整包，I²Pak
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A（Tc）
供应商器件封装：I2PAKFP（TO-281）
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs