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STFU13N65M2 /MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
STFU13N65M2的规格信息
STFU13N65M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:430 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:17 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

高度:4.6 mm

长度:16.4 mm

系列:STFU13N65M2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:10.4 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.8 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:2.300 g

供应商STFU13N65M2
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现代芯城(深圳)科技有限公司STFU13N65M2www.nowchip.com0755-27381274
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STFU13N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package1:¥20.2835
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