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STFI28N60M2 /STMicroelectronics/分立半导体产品
STFI28N60M2的规格信息
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标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:MDmesh? II Plus

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 11A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):36nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1440pF @ 100V

功率 - 最大值:30W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-262-3 整包,I²Pak

供应商器件封装:I2PAKFP(281)

其它名称:497-15001-5

供应商STFI28N60M2
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STFI28N60M2N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAKFP packages STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO827.38 Kbytes共14页STFI28N60M2的PDF下载地址
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100+:¥28
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500+:¥23.27
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250+:¥20.79
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10+:¥31.57
100+:¥28
250+:¥25.89
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10+:¥25.18
100+:¥22.36
250+:¥20.79
500+:¥20.79
1500+:¥19.84
3000+:¥19.09
6000+:¥18.7101
9000+:¥19.13