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STF6N95K5 /MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
STF6N95K5的规格信息
STF6N95K5的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:950 V

Id-连续漏极电流:9 A

Rds On-漏源导通电阻:1.25 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:13 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STF6N95K5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

单位重量:330 mg

供应商STF6N95K5
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18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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现代芯城（深圳）科技有限公司STF6N95K5www.nowchip.com0755-27381274
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上海三崧电子有限公司STF6N95K5上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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STF6N95K5连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：950V 栅源极阈值电压：5V @ 100uA 漏源导通电阻：1.25Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO931.25 Kbytes共14页STF6N95K5的PDF下载地址无
STF6N95K5的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		STF6N95K5STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH5?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener SuperMESH 51+:￥21.17
10+:￥17.09
100+:￥13.68
500+:￥12
1000+:￥9.89
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5000+:￥8.8799
10000+:￥8.581+:￥16.8999
10+:￥13.67
100+:￥10.93
500+:￥10.93
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401+:￥7.85
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STF6N95K5STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH5?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener SuperMESH 51+:￥21.17
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10000+:￥8.58
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		STF6N95K5STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH5?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener SuperMESH 51+:￥21.17
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		STF6N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K51:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.5995
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		STF6N95K5STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH5?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener SuperMESH 51+:￥21.17
10+:￥17.09
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		STF6N95K5ST(意法半导体)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：950V 栅源极阈值电压：5V @ 100uA 漏源导通电阻：1.25Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道1+:￥8.46
10+:￥6.35
30+:￥5.97
100+:￥5.58
500+:￥5.41
1000+:￥5.32
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