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STF6N60M2 /MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
STF6N60M2的规格信息
STF6N60M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:20 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STF6N60M2

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

下降时间:22.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.4 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:9.5 ns

单位重量:330 mg

供应商STF6N60M2
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现代芯城(深圳)科技有限公司STF6N60M2www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STF6N60M2深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
上海三崧电子有限公司STF6N60M2上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司STF6N60M2深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
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Arrow(艾睿)
STF6N60M2STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh II1+:¥10.1801
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250+:¥7.21
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
STF6N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M21:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
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Mouser 贸泽电子
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RS(欧时)
STF6N60M2STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh II1+:¥10.1801
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立创商城
STF6N60M2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 2.25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20W(Tc) 类型:N沟道1+:¥12.11
10+:¥11.78
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100+:¥9.08
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立创商城
STF6N60M2VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥2.16
10+:¥1.59
30+:¥1.49
100+:¥1.242
500+:¥1.206
1000+:¥1.179