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STF4N62K3 /MOSFET N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
STF4N62K3的规格信息
STF4N62K3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:620 V

Id-连续漏极电流:3.8 A

Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:22 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

系列:STF4N62K3

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:19 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:29 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:330 mg

供应商STF4N62K3
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现代芯城（深圳）科技有限公司STF4N62K3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STF4N62K3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司STF4N62K3华强广场C座18J0755-27381274
18098996457		董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司STF4N62K3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
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17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司STF4N62K3深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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深圳市泓建半导体有限公司STF4N62K3深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B1218617195508
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集好芯城STF4N62K3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市佳威星科技有限公司STF4N62K3深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市高捷芯城科技有限公司STF4N62K3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司STF4N62K3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司STF4N62K3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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STF4N62K3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		STF4N62K3STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH3?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 31+:￥13.75
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Mouser 贸泽电子		STF4N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 31:¥13.7521
10:¥11.6842
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		STF4N62K3STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH3?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 31+:￥13.75
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		STF4N62K3ST(意法半导体)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：620V 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：2Ω @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道1+:￥1.06
10+:￥1.03
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