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STF6N65K3 /MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
STF6N65K3的规格信息
STF6N65K3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:5.4 A

Rds On-漏源导通电阻:1.3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:35 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

系列:STF6N65K3

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:54 ns

典型接通延迟时间:25 ns

单位重量:330 mg

供应商STF6N65K3
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Digi-Key 得捷电子
STF6N65K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 5.4A TO220FP$2.08000
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