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STF6N65K3 /MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
STF6N65K3的规格信息
STF6N65K3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:5.4 A

Rds On-漏源导通电阻:1.3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:35 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

系列:STF6N65K3

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:54 ns

典型接通延迟时间:25 ns

单位重量:330 mg

供应商STF6N65K3
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深圳市威雅利发展有限公司STF6N65K3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STF6N65K3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司STF6N65K3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
上海三崧电子有限公司STF6N65K3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市辉华拓展电子有限公司STF6N65K3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城STF6N65K3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市高捷芯城科技有限公司STF6N65K3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市兴中芯科技有限公司STF6N65K3深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
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13129599479		刘群Email:13129599479@163.com询价
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深圳市宇浩扬科技有限公司STF6N65K3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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STF6N65K3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		STF6N65K3STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH3?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH31+:￥14.4
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		STF6N65K3STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH3?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH31+:￥14.4
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STF6N65K3STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH3?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH31+:￥14.4
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STF6N65K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 5.4A TO220FP$2.08000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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元器件资料网-Verical的LOGO
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立创商城		STF6N65K3ST(意法半导体)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 2.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道1+:￥3.69
10+:￥2.75
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