特色产品：STMicroelectronics - Mdmesh II Plus Low Qg Power MOSFETs

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：MDmesh? II Plus

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.7A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 1.85A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：4.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：165pF @ 100V

功率 - 最大值：20W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商器件封装：TO-220FP

其它名称：497-14273-5STF5N60M2-ND