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STF6N62K3 /MOSFET N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
STF6N62K3的规格信息
STF6N62K3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:620 V

Id-连续漏极电流:5.5 A

Rds On-漏源导通电阻:1.28 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.75 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:34 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:90 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

高度:9.3 mm

长度:10.4 mm

系列:STF6N62K3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:19 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:13 ns

单位重量:330 mg

供应商STF6N62K3
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深圳市威雅利发展有限公司STF6N62K3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
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现代芯城(深圳)科技有限公司STF6N62K3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市骏凯诚科技有限公司STF6N62K3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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STF6N62K3连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):620V 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:1.28Ω @ 2.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO1.22 Mbytes共19页STF6N62K3的PDF下载地址
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Am2
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ChipOneStop
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
STF6N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A1:¥13.221
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立创商城
STF6N62K3ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):620V 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:1.28Ω @ 2.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道1+:¥12.85
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