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STF30N10F7 /MOSFET N-Ch 100V 0.02 Ohm typ 35A STripFET VII
STF30N10F7的规格信息
STF30N10F7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:24 A

Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:19 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

商标名:STripFET

封装:Tube

系列:STF30N10F7

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:5.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:330 mg

供应商STF30N10F7
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现代芯城(深圳)科技有限公司STF30N10F7www.nowchip.com0755-27381274
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STF30N10F7STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VII 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100V 0.02 Ohm typ 35A STripFET VII1+:¥24.44
10+:¥19.64
100+:¥17.46
250+:¥16.07
500+:¥14.47
1000+:¥12.2199
2500+:¥11.56
5000+:¥11.131+:¥19.46
10+:¥15.65
100+:¥13.91
250+:¥12.92
500+:¥12.92
1000+:¥12.33
2500+:¥11.8601
5000+:¥11.5201
10000+:¥11.3850+:¥14.99
150+:¥13.47
400+:¥12.721+:¥12.67
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STF30N10F7STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VII 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100V 0.02 Ohm typ 35A STripFET VII1+:¥24.44
10+:¥19.64
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250+:¥16.07
500+:¥14.47
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5000+:¥11.13
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STF30N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 24A TO220FP$3.50000
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STF30N10F7STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VII 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100V 0.02 Ohm typ 35A STripFET VII1+:¥24.44
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100+:¥17.46
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1000+:¥12.2199
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5000+:¥11.5201
10000+:¥11.3850+:¥14.99
150+:¥13.47
400+:¥12.72
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Mouser 贸泽电子
STF30N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 0.02 Ohm typ 35A STripFET VII1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.1416
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Mouser 贸泽电子
STF30N10F7STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VII 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100V 0.02 Ohm typ 35A STripFET VII1+:¥24.44
10+:¥19.64
100+:¥17.46
250+:¥16.07
500+:¥14.47
1000+:¥12.2199
2500+:¥11.56
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10+:¥15.65
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500+:¥12.92
1000+:¥12.33
2500+:¥11.8601
5000+:¥11.5201
10000+:¥11.38