最高工作温度：+ 150 C

30 W：Pd - 功率消耗

安装风格：Through Hole

封装/外壳：TO-220FP-3

系列：STF13NK50Z

品牌：STMicroelectronics

通道模式：Enhancement

下降时间：24 ns

最低工作温度：- 55 C

RoHS：符合 RoHS

上升时间：23 ns

标准包装数量：1000

标准断开延迟时间：61 ns

晶体管极性：N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：500 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：30 V

Id - C连续漏极电流：11 A

Rds On - 漏-源电阻：480 m0hms

配置：Single

47 nC：Qg - 闸极充电

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：47nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1600pF @ 25V

功率耗散（最大值）：30W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：480 毫欧 @ 6.5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220FP

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs