STF11N50M2
/MOSFET N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF11N50M2的规格信息
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220FP-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:550 V
Id-连续漏极电流:8 A
Rds On-漏源导通电阻:450 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Qg-栅极电荷:12 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:25 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:MDmesh
封装:Tube
系列:STF11N50M2
商标:STMicroelectronics
下降时间:28.5 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:9 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:8 ns
典型接通延迟时间:11 ns
单位重量:2.300 g
STF11N50M2
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