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STF12N65M5 /MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
STF12N65M5的规格信息
STF12N65M5的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:8.5 A

Rds On-漏源导通电阻:430 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Qg-栅极电荷:22 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STF12N65M5

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

下降时间:24 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

单位重量:330 mg

供应商STF12N65M5
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现代芯城（深圳）科技有限公司STF12N65M5www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司STF12N65M5深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市佳威星科技有限公司STF12N65M5深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市天卓伟业电子有限公司STF12N65M5深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市坤融电子有限公司STF12N65M5航都大厦10I0755-23990975
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深圳市芯泽盛世科技有限公司STF12N65M5龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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芯莱德电子（香港）有限公司STF12N65M5深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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