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STF11NM60ND /MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
STF11NM60ND的规格信息
STF11NM60ND的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:450 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:30 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:90 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:FDmesh

封装:Tube

高度:9.3 mm

长度:10.4 mm

系列:STF11NM60ND

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:7.5 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:50 ns

典型接通延迟时间:16 ns

单位重量:330 mg

供应商STF11NM60ND
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供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城(深圳)科技有限公司STF11NM60NDwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STF11NM60ND深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司STF11NM60ND深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STF11NM60ND深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司STF11NM60ND深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司STF11NM60ND深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
13510175077
刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
深圳德泰威尔科技有限公司STF11NM60ND上步工业区405栋30815766460736
15766460736
小林Email:346259228@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司STF11NM60ND深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司STF11NM60ND深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市佳威星科技有限公司STF11NM60ND深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司STF11NM60ND深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司STF11NM60ND深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司STF11NM60ND航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司STF11NM60ND龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司STF11NM60ND深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司STF11NM60ND深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司STF11NM60ND广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司STF11NM60ND深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453,18929374037,18922803401
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司STF11NM60ND深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司STF11NM60ND华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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STF11NM60ND连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO1.66 Mbytes共19页STF11NM60ND的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
STF11NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A1+:¥26.77
10+:¥21.53
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ChipOneStop
STF11NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A1+:¥26.77
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
STF11NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 10A TO220FP$3.83000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
STF11NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A1+:¥26.77
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element14 e络盟电子
STF11NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A1+:¥26.77
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100+:¥19.13
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Future(富昌)
STF11NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A1+:¥26.77
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Mouser 贸泽电子
STF11NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A1+:¥26.77
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Mouser 贸泽电子
STF11NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A1:¥26.7358
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RS(欧时)
STF11NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A1+:¥26.77
10+:¥21.53
100+:¥19.13
250+:¥17.68
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Verical
STF11NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A1+:¥26.77
10+:¥21.53
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立创商城
STF11NM60NDST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道1+:¥13.49
10+:¥9.88
30+:¥9.21
100+:¥8.55
500+:¥8.26
1000+:¥8.11