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STF13N60M2 /MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STF13N60M2的规格信息
STF13N60M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:17 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STF13N60M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:9.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:41 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:330 mg

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现代芯城(深圳)科技有限公司STF13N60M2www.nowchip.com0755-27381274
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Arrow(艾睿)
STF13N60M2STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A MDMesh II1+:¥16.59
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Digi-Key 得捷电子
STF13N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 11A TO220FP$1.61000
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Digi-Key 得捷电子
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
STF13N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M21:¥16.6788
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Mouser 贸泽电子
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STF13N60M2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.19
10+:¥4.07