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STF11N65M2 /MOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF11N65M2的规格信息
STF11N65M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:7 A

Rds On-漏源导通电阻:670 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:12.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

商标名:MDmesh II Plus

封装:Tube

产品:Power MOSFET

系列:STF11N65M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26 ns

典型接通延迟时间:9.5 ns

单位重量:330 mg

供应商STF11N65M2
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现代芯城(深圳)科技有限公司STF11N65M2www.nowchip.com0755-27381274
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STF11N65M2Extremely low gate charge STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO741.12 Kbytes共15页STF11N65M2的PDF下载地址
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STF11N65M2STMicroelectronics1+:¥11.93
10+:¥10.98
100+:¥8.73
500+:¥7.64
1000+:¥6.3501
2000+:¥5.9
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100+:¥6.96
500+:¥6.96
1000+:¥6.49
2000+:¥5.95
5000+:¥5.9
10000+:¥5.6701
25000+:¥5.491+:¥11.72
10+:¥10.8
100+:¥8.58
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STF11N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package1:¥13.673
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1,000:¥6.7122
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STF11N65M2STMicroelectronics1+:¥11.93
10+:¥10.98
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1000+:¥6.3501
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5000+:¥5.7
10000+:¥5.481+:¥9.5201
10+:¥8.78
100+:¥6.96
500+:¥6.96
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STF11N65M2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:670mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.75
10+:¥3.64