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STB6N60M2 /MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
STB6N60M2的规格信息
STB6N60M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:1.06 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:60 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STB6N60M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:22.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.4 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:9.5 ns

单位重量:4 g

供应商STB6N60M2
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现代芯城(深圳)科技有限公司STB6N60M2www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STB6N60M2深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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13926529829,17318082080
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芯莱德电子(香港)有限公司STB6N60M2深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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STB6N60M2STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh II1000+:¥4.47
2000+:¥3.96
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STB6N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK$1.38000
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
STB6N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M21:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
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1,000:¥4.7234
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RS(欧时)
STB6N60M2STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh II1000+:¥4.47
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1000+:¥5.151+:¥3.89