系列：STB

高度：4.6 mm

长度：10.4 mm

类型：MOSFET

宽度：9.35 mm

最大工作温度：+ 175 C

最小工作温度：- 65 C

安装风格：SMD/SMT

配置：Single

下降时间：30 ns

典型接通延迟时间：35 ns

上升时间：220 ns

Vgs-栅极-源极电压：15 V

Pd-功率耗散：110 W

通道数量：1 Channel

Id-连续漏极电流：60 A

Vds-漏源极击穿电压：60 V

晶体管类型：1 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：14 mOhms

通道模式：Enhancement

晶体管极性：N-Channel

典型关闭延迟时间：55 ns

正向跨导-最小值：20 S

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：60A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：66nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2000pF @ 25V

Vgs（最大值）：±15V

功率耗散（最大值）：110W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：14 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB

封装形式Package：D2PAK

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：60V

连续漏极电流ID：60A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs