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STB36NM60ND /MOSFET Auto-grade N-CH 650V 29A FDmesh II 0.097
STB36NM60ND的规格信息
STB36NM60ND的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:29 A

Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:80.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:190 W

配置:Single

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STW36NM60N

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:61.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:53.4 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:111 ns

典型接通延迟时间:30 ns

单位重量:4 g

供应商STB36NM60ND
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深圳市斌腾达科技有限公司STB36NM60ND深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STB36NM60ND深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STB36NM60ND深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司STB36NM60ND航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司STB36NM60ND华强北都会轩26010755-23903154
13430590551
杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司STB36NM60ND深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市荣创芯微科技有限公司STB36NM60ND深圳市福田区华强北都会B做12N0755-82501483
15818715186
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深圳市佳威星科技有限公司STB36NM60ND深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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集好芯城STB36NM60ND深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市瑞浩芯科技有限公司STB36NM60ND深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市辰芯伟业科技有限公司STB36NM60ND华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司STB36NM60ND深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司STB36NM60ND深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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STB36NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET Auto-grade N-CH 600V 29A FDmesh II 0.0971+:¥82.99
10+:¥75.5
25+:¥69.75
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500+:¥54.691+:¥66.18
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STB36NM60NDSTMicroelectronicsPOWER MOSFET - Tape and Reel1,000 : $7.2771
4,999 : $7.1622
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STB36NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET Auto-grade N-CH 600V 29A FDmesh II 0.0971+:¥82.99
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STB36NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 29A D2PAK$5.02000
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STB36NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 29A D2PAK1 : $11.26
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Digi-Key 得捷电子
STB36NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET Auto-grade N-CH 600V 29A FDmesh II 0.0971+:¥82.99
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STB36NM60NDSTMicroelectronicsN-Channel 600 V 0.11 O 80.4 nC SMT FDMesh II Power Mosfet - D2PAK
RoHS : Compliant
1,000 : $2.9
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
STB36NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET Auto-grade N-CH 600V 29A FDmesh II 0.0971:¥46.4882
10:¥39.5726
100:¥34.2729
250:¥32.4988
1,000:¥24.5888
2,000:查看
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STB36NM60NDST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):29A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 14.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):190W(Tc) 类型:N沟道1+:¥49.34
10+:¥47.9