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STB32NM50N /MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II
STB32NM50N的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:22 A

Rds On-漏源导通电阻:130 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:62.5 nC

Pd-功率耗散:190 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STB32NM50N

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:23.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:110 ns

典型接通延迟时间:21.5 ns

单位重量:4 g

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STB32NM50NN-channel 500 V, 0.1 Ω typ., 22 A MDmesh™ II Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO1174.24 Kbytes共21页STB32NM50N的PDF下载地址
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STB32NM50NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II1000+:¥28
2000+:¥26.981+:¥41.33
10+:¥37.19
25+:¥33.87
100+:¥30.7301
250+:¥30.7301
500+:¥30.7301
1000+:¥28.21
2000+:¥27.93
5000+:¥27.0450+:¥37.58
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1000+:¥24.971+:¥30.16
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STB32NM50NSTMicroelectronicsPOWER MOSFET - Tape and Reel1,000 : $4.0955
4,999 : $3.933
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STB32NM50NSTMicroelectronics1,000 : $2.284
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STB32NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N CH 500V 22A D2PAK2,000 : $3.705
1,000 : $3.8475
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STB32NM50NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II1000+:¥28
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STB32NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II1:¥25.199
10:¥21.4361
100:¥18.5207
250:¥17.5941
1,000:¥13.2888
2,000:查看
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Mouser 贸泽电子
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500+:¥30.7301
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5000+:¥27.04
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RS(欧时)
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2000+:¥26.981+:¥41.33
10+:¥37.19
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100+:¥30.7301
250+:¥30.7301
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1000+:¥28.21
2000+:¥27.93
5000+:¥27.0450+:¥37.58
250+:¥30.89
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Rutronik
STB32NM50NSTMicroelectronicsN-CH 500V 22A 100mOhm TO2631,000 : $2.17
2,000 : $2.09
3,000 : $2.02