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STB32NM50N /MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II
STB32NM50N的规格信息
STB32NM50N的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:22 A

Rds On-漏源导通电阻:130 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:62.5 nC

Pd-功率耗散:190 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STB32NM50N

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:23.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:110 ns

典型接通延迟时间:21.5 ns

单位重量:4 g

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STB32NM50NN-channel 500 V, 0.1 Ω typ., 22 A MDmesh™ II Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO1174.24 Kbytes共21页STB32NM50N的PDF下载地址无
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Arrow(艾睿)		STB32NM50NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II1000+:￥28
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