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STB30NF10T4 /MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp
STB30NF10T4的规格信息
STB30NF10T4的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:35 A

Rds On-漏源导通电阻:38 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:115 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.6 mm

长度:10.4 mm

系列:STB30NF10

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.35 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:10 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:4 g

供应商STB30NF10T4
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芯莱德电子(香港)有限公司STB30NF10T4深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司STB30NF10T4深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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STB30NF10T4N-Channel 100-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO974.73 Kbytes共8页STB30NF10T4的PDF下载地址
STB30NF10T4的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2
STB30NF10T4STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp1000+:¥5.42
2000+:¥4.81
10000+:¥4.631+:¥10.02
10+:¥7.77
100+:¥6.15
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1000+:¥5.3499
2000+:¥4.91
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10+:¥9.57
100+:¥7.581000+:¥3.041000+:¥2.731+:¥4.37
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ChipOneStop
STB30NF10T4STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp1000+:¥5.42
2000+:¥4.81
10000+:¥4.631+:¥10.02
10+:¥7.77
100+:¥6.15
500+:¥5.66
1000+:¥5.3499
2000+:¥4.91
10000+:¥4.79
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50000+:¥4.711+:¥12.36
10+:¥9.57
100+:¥7.581000+:¥3.04
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
STB30NF10T4STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp1000+:¥5.42
2000+:¥4.81
10000+:¥4.63
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
STB30NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 35A D2PAK$1.75000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
STB30NF10T4STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp1000+:¥5.42
2000+:¥4.81
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10+:¥7.77
100+:¥6.15
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1000+:¥5.3499
2000+:¥4.91
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50000+:¥4.711+:¥12.36
10+:¥9.57
100+:¥7.58
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Future(富昌)
STB30NF10T4STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp1000+:¥5.42
2000+:¥4.81
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10+:¥7.77
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100+:¥7.581000+:¥3.041000+:¥2.73
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Mouser 贸泽电子
STB30NF10T4STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp1000+:¥5.42
2000+:¥4.81
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10+:¥7.77
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1000+:¥5.3499
2000+:¥4.91
10000+:¥4.79
25000+:¥4.68
50000+:¥4.71
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
STB30NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp1:¥12.3735
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3563
1,000:¥6.102
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
STB30NF10T4STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp1000+:¥5.42
2000+:¥4.81
10000+:¥4.631+:¥10.02
10+:¥7.77
100+:¥6.15
500+:¥5.66
1000+:¥5.3499
2000+:¥4.91
10000+:¥4.79
25000+:¥4.68
50000+:¥4.711+:¥12.36
10+:¥9.57
100+:¥7.581000+:¥3.041000+:¥2.731+:¥4.371+:¥3.26
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
STB30NF10T4VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥3.1
10+:¥2.29
30+:¥2.14
100+:¥1.99
500+:¥1.92
1000+:¥1.89
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
STB30NF10T4ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):115W(Tc) 类型:N沟道1+:¥5.4
10+:¥4.11
30+:¥3.87
100+:¥3.63
500+:¥3.53
1000+:¥3.48