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STB30N65M5 /MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
STB30N65M5的规格信息
STB30N65M5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:22 A

Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:64 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:140 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STB30N65M5

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:50 ns

典型接通延迟时间:50 ns

单位重量:4 g

供应商STB30N65M5
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18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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现代芯城(深圳)科技有限公司STB30N65M5www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
上海三崧电子有限公司STB30N65M5上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344
樊勉Email:420014373@qq.com询价
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19926488141
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Arrow(艾睿)
STB30N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V1000+:¥23.42
2000+:¥22.25
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STB30N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V1000+:¥23.42
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
STB30N65M5STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 650V1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
1,000:¥21.5152
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Verical
STB30N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V1000+:¥23.42
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