STB36N60M6
/MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
STB36N60M6的规格信息
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:D2PAK-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:30 A
Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Qg-栅极电荷:44.3 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:208 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:MDmesh
系列:STB36N60M6
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:7.3 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:5.3 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:50.2 ns
典型接通延迟时间:15.2 ns
STB36N60M6
STB36N60M6的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Digi-Key 得捷电子 | STB36N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK | $4.15000 |
Mouser 贸泽电子 | STB36N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package | 1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
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