制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:24 A

Rds On-漏源导通电阻:140 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:41.5 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:190 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STB33N65M2

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:72.5 ns

典型接通延迟时间:13.5 ns

单位重量:4 g