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STB13N80K5 /MOSFET N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
STB13N80K5的规格信息
STB13N80K5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:450 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:190 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STB13N80K5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:16 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:42 ns

典型接通延迟时间:16 ns

单位重量:4 g

供应商STB13N80K5
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Digi-Key 得捷电子
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Verical
STB13N80K5STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH5?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 800V 0.37Ohm 12A SuperMESH 51+:¥33.82
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STB13N80K5ST(意法半导体)MOS(场效应管)1+:¥25.69
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