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STB11NM60FDT4 /MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
STB11NM60FDT4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:450 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:160 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

高度:4.6 mm

长度:10.4 mm

系列:STP11NM60FD

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.35 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:5.2 S

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:4 g

供应商STB11NM60FDT4
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Mouser 贸泽电子
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