系列MDmesh™
FET类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)650V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）11A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）30nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）1000pF @ 25V
Vgs（最大值）±30V
功率耗散（最大值）160W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）450 毫欧 @ 5.5A，10V
工作温度-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
封装形式PackageI2PAK
极性PolarityN-CH
漏源极击穿电压VDSS600V
连续漏极电流ID11A
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs