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STB10NK60Z-1 /MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
STB10NK60Z-1的规格信息
STB10NK60Z-1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:750 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:50 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:115 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

高度:8.95 mm

长度:10 mm

系列:STB10NK60Z

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:4.4 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:7.8 S

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:1.438 g

供应商STB10NK60Z-1
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