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STB11NM80T4 /MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
STB11NM80T4的规格信息
STB11NM80T4的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:400 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.6 mm

长度:10.4 mm

系列:STB11NM80

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.35 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:8 S

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:46 ns

典型接通延迟时间:22 ns

单位重量:4 g

供应商STB11NM80T4
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深圳市骏凯诚科技有限公司STB11NM80T4深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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谢先生Email:2851989182@qq.com询价
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STB11NM80T4的全球分销商及价格
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STB11NM80T4STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh?? 分立半导体产品1000+:¥25.77
2000+:¥24.82
5000+:¥23.87
10000+:¥23.48
25000+:¥22.911+:¥46.99
10+:¥42.27
25+:¥38.44991000+:¥10.441000+:¥14.389925+:¥43.76
100+:¥39.25
200+:¥34.23
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STB11NM80T4STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh?? 分立半导体产品1000+:¥25.77
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Digi-Key 得捷电子
STB11NM80T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 11A D2PAK$6.87000
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Future(富昌)
STB11NM80T4STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh?? 分立半导体产品1000+:¥25.77
2000+:¥24.82
5000+:¥23.87
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25000+:¥22.911+:¥46.99
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Mouser 贸泽电子
STB11NM80T4STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh?? 分立半导体产品1000+:¥25.77
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Mouser 贸泽电子
STB11NM80T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh1:¥47.9459
10:¥43.3355
25:¥41.3354
100:¥35.8888
1,000:¥27.1991
2,000:查看
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Verical
STB11NM80T4STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh?? 分立半导体产品1000+:¥25.77
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10+:¥42.27
25+:¥38.44991000+:¥10.441000+:¥14.389925+:¥43.76
100+:¥39.25
200+:¥34.23
500+:¥31.41+:¥27.851+:¥11.2199