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STB12NM50T4 /MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
STB12NM50T4的规格信息
STB12NM50T4的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:350 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:160 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.6 mm

长度:10.4 mm

系列:STB12NM50

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.35 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:5.5 S

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:4 g

供应商STB12NM50T4
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深圳市威雅利发展有限公司STB12NM50T4华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STB12NM50T4深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市星宇佳科技有限公司STB12NM50T4深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
集好芯城STB12NM50T4深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市辉华拓展电子有限公司STB12NM50T4深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市仓实科技有限公司STB12NM50T4深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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STB12NM50T4的全球分销商及价格
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立创商城		STB12NM50T4ST(意法半导体)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：5V @ 50uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：160W(Tc) 类型：N沟道1+:￥12
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30+:￥8.2
100+:￥7.61
500+:￥7.35
1000+:￥7.22
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